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单词 模拟IC技术
释义

【模拟IC技术】
 

模拟IC是随着数字IC的发展而发展的。模拟电路处理连续变化的模拟量信息,因而有它的特殊性和难度。但是,所有信息的处理,特别是原始信息或处理结果的信息,总是离不开模拟量,因而模拟IC获得了广泛的应用,发展迅速。

现代的电子部件、系统、整机,追求的目标是体积小、重量轻、性能高、可靠性好,要求构成电子系统的电路、部件甚至子系统,尽可能地用集成电路来实现。对于模拟IC来讲,则是高性能的模拟IC。并且,随着电子整机性能的提高,对模拟IC的要求也不断提高。要实现电子整机的高可靠性,首要问题是能抵抗各种恶劣的环境。

高性能可以概括为:高速(或高频)、高精度、高增益、低噪声、低功耗、高压和大电流以及多功能等。

1970年Precision Monolithics公司率先推出世界上第1块单片集成D/A转换器(DAC-01)。1975年,模拟器件公司首先推出10位单片A/D转换器。从转换器产分辨率看,现在D/A达24位,A/D达25位,进入超高精度的领域。从转换器速度看,8位D/A建立时间在10ns以下(有65个品种);8位A/D转换时间在10ns以下(有27种);12位D/A较高水平的建立时间ts在200ns(有67种),12位A/D较高水平的转换时间tc为0.5ns(45种)。从高速和高分辨率看,16位D/A建立时间ts在1.5μs(有55种),16位A/D转换时间tc在12μs(48种)。由此,D/A、A/D转换器为适应电子整机要求(如图象处理、数字通讯等),向高速、高分辨率(相应提高了精度)发展,同时体现了多功能、模数兼容以及向系统集成的发展趋势。国外的A/D转换器可与微机兼容,带采样保持放大器,有多通道输入,如再增加可编程增益放大、微机接口、转换器接口等,就自然形成一个数据采集子系统或数据分配子系统。

自1963年UA741运算放大器问世以来,集成运放经历了漫长的发展过程。由于工艺的改进、器件结构设计和电路结构设计的更新,使得当今的集成运放的性能远优于UA741。高速运放、低电流运放、低漂移运放和低噪声运放代表了当前运放的水平。

高频宽带低噪声放大器包含视频放大器、射频放大器、中频放大器和宽带放大器,还包含用作前置低噪声的高频、宽带放大器和作主放的高频、宽带放大器。其特征主要为工作频段在0~1GHz,增益几十dB,噪声在几个dB,甚至达超低噪声(~1dB)的水平。

模拟信号调整(节)器属非线性放大类别,以对数放大器为例,动态范围达120dB(1nA~1mA),输出电压V0可达24Vp-p,宽带对数放大器的带宽达10~200MHz等。

线性电压调整器是发展最早、最成熟的器件,代表产品有LM系列和MC7800、MC7900系列。固定输出由5V、6V、…直至24V,还有输入可达70V、输出50V的产品(S1019,S1020)。可调输出的有2~37V、2~57V、2~77V(L146CT、L146T)等。就输出电流而言,有0.1A、0.25A、0.5A、1A、3A、5A等,最大达10A(LM396),这些电路的共同点是属串联调整,效率低,因而又发展了开关电源。开关电源也经历了第1代,发展到现在的第2代。在无载条件下,其消耗电流小、效率高、体积小,获得广泛的应用,典型产品是SG1524系列和SG1525系列。谐振型开关电源,是在脉宽调制型开关电源的基本结构上发展起来的,既进一步降低了功耗,提高了效率,又减少了体积。

抗核辐射恶劣环境的高可靠器件,在美国已广泛应用于军事电子系统。战术系统有长矛导弹系统、地面发射巡航导弹系统、一般辅助火箭系统、远距离目标截获系统、遥控飞行器、XMI坦克、制导炸弹GBV-15、积木式集总通讯和导航系统;战略武器系统有民兵-Ⅱ、民兵-Ⅲ、海神、三叉戟、MX导弹系统、电子战系统和卫星系统。用美军MiL-M-38510辐射加固规范来选用,其中M和D级产品应用于战术系统,R和H级产品应用于战略武器系统。M、D、R、H四级的抗中子能力为2×1012积分中子通量/cm2,而抗γ总剂量能力分别为3×101、1×102、1×103、1×104[Gy(Si)]。

模拟IC总发展趋势,是向高性能、部件或系统集成的方向发展。电子系统和整机对模拟集成电路提出的高性能要求,即高速(高频)、高精度、高增益、低噪声、低功耗、高压、大电流、抗核辐射、高可靠和高集成度等不同特征和特殊用要求,已成为模拟IC发展所追求的目标。

上述不同特征和特殊用途的高性能要求,导致了模拟电路的品种繁多,门类迅速增加;功能增加,模拟集成电路中也包含数字电路的功能,出现模数兼容;集成规模迅速增加,向VLSIC方向发展;工艺制作技术由5μm、3μm、1μm直向亚微米方向发展,同时发展了互补高频n-p-n与p-n-p、BiCMOS以及灵巧功率集成等单片内包含各种器件结构的兼容技术,精密线性技术和各种结构的外延技术等。模拟集成电路的工艺制作规范至少有50~60种,但还不能满足需要,又将微组装或芯片级组装技术应用于模拟集成电路的制作,进一步促进模拟集成电路向部件和系统集成方向发展。随之发展的是CAT技术,从系统、功能、子电路级的仿真,以及发展CAT技术、通用测试系统和专用测试仪器。这些发展,推动了硅集成技术的发展。

模拟IC所追求的不同特征和特殊要求目标中,采用当代硅的集成技术受到一定限制,难以解决。于是,采用新的物理概念新原理的新器件结构应运而生。将这些器件应用于现代硅集成技术中,将显著改善电路性能,特别是称之为第二代硅技术的Si/GeSi异质结硅技术,可与现在硅的集成工艺技术兼容。模拟IC正面临一个新的变革发展时期。

(机电部第24研究所苏万市撰)

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