【1985年】
日本推出了多种三维LSI。已批量生产1兆位动态随机存取储器(RAM)，试制了4兆位和16兆位RAM。采用离子注入技术研制出16兆位组合式磁泡存储器样品。制出了工作速度为0．85纳秒(10－9秒)的实验性超高速存储器。制成了时延只有210皮秒(10－12秒)的砷化镓门阵列
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