| 单词 | 晶体缺陷 |
| 释义 | 【晶体缺陷】 拼译：vacancy 晶体缺陷是指晶体内部偏离完整结构的现象。1912年劳厄用X射线入射晶体而产生衍射斑，证实晶体内部原子是规则排列的。1914年C．G．达尔文从X射线衍射动力学理论出发，认为完整晶体的X射线衍射强度应远小于实际观察到的强度，他认为理论与实际的差异缘于实际晶体中原子排列不象理想晶体那样整齐，实际晶体存在缺陷，他的工作是晶体缺陷研究的开始。晶体缺陷分点缺陷、线缺陷、面缺陷。点铁陷的存在是晶体电阻增大的原因，研究得最多的缺陷是位错，位错是线缺陷，它对晶体性能影响巨大。20世纪20年代，许多科学家企图解释为什么实际晶体的力学强度远低于完整晶体的理论强度。30年代中期G．I．泰勒等人建立了位错模型；1956年B．赫希用电子显微镜证实了泰勒的位错模型，目前晶体理论的计算强度与实测基本相符。在制造大规模集成电路时，位错是影响其质量的关键问题之一，现在已有办法把硅晶片的位错缺陷驱赶到内部，使硅片表面30～50微米的厚度内纯洁无疵。目前晶体缺陷问题的主攻方向仍是位错的理论、实验与应用，它的研究已成为材料科学的重要一环。 |
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