理学 计算机存储部件 释 phase-change memory，PCM 相变存储器 一种由硫族化合物材料构成的新型非易失存储器（non-volatile memory，NVM），它利用材料可逆转的物理状态变化来存储信息，具有非易失、工艺尺寸小、存储密度高、寿命长、读写速度快、功耗低、抗辐射干扰等优点，是未来最有可能取代DRAM的非易失性存储器之一。
计算机硬件 存储设备 释文 phase change random access memory, PRAM, PCM 相变存储器
| 单词 | 相变存储器 |
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