“垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管”的概念、定义、翻译、参考文献-科学参考

单词	垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
释义	垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 Encyclopedia 工学功率半导体器件释 vertical double diffusion metal-oxide-semiconductor field effect transistor;VDMOSFET垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管栅极（gate，G）和源极（source，S）都在器件的表面，而漏极（drain，D）在器件的背面，电流纵向流动的场效应晶体管。
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