“STT-MRAM”的概念、定义、翻译、参考文献-科学参考

STT-MRAM

Encyclopedia

工学快闪存储器释
spin transfer torque magnetic random access memory;STT-MRAM自旋转移力矩磁性随机存取存储器
通过电流产生磁场，基于电子自旋、改变自旋偏振电流从而改变磁场的平行与反平行方向状态来存储和读取数据的非易失性随机存储器。
理学计算机存储部件释
spin-transfer-torque magnetoresistive random-access memory; STT-MRAM自旋转移力矩磁阻随机存取存储器
自旋力矩技术是利用“拥有自旋角动量的属性的电子或其他粒子”的一种技术。其中自旋角动量是两种量子力学角动量之一。自旋力矩存储技术利用穿过磁场的电流来改变电子自旋向上或向下。自旋转移力矩磁阻随机存取存储器有潜力成为比闪存（flash memory）更高密度、更少成本、更低功耗的非易失性存储器。它也不是一种像闪存这样的破坏性技术，没有闪存的抗磨损寿命问题。

单词	STT-MRAM
释义	STT-MRAM Encyclopedia 工学快闪存储器释 spin transfer torque magnetic random access memory;STT-MRAM自旋转移力矩磁性随机存取存储器通过电流产生磁场，基于电子自旋、改变自旋偏振电流从而改变磁场的平行与反平行方向状态来存储和读取数据的非易失性随机存储器。理学计算机存储部件释 spin-transfer-torque magnetoresistive random-access memory; STT-MRAM自旋转移力矩磁阻随机存取存储器自旋力矩技术是利用“拥有自旋角动量的属性的电子或其他粒子”的一种技术。其中自旋角动量是两种量子力学角动量之一。自旋力矩存储技术利用穿过磁场的电流来改变电子自旋向上或向下。自旋转移力矩磁阻随机存取存储器有潜力成为比闪存（flash memory）更高密度、更少成本、更低功耗的非易失性存储器。它也不是一种像闪存这样的破坏性技术，没有闪存的抗磨损寿命问题。
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