工学 介质隔离MOS器件 释 silicon on insulator; SOI 绝缘层上硅 由顶层硅（Si）、二氧化硅（SiO2）绝缘层、硅衬底组成的三明治结构的半导体材料。是一种用于大规模集成电路制造的先进半导体衬底材料。又称绝缘体上硅。 工学 微电子材料 释 silicon on insulator 绝缘体上硅 使用硅-绝缘体-硅衬底结构来代替普通硅衬底的集成电路制造技术。 理学 〔半导体材料〕 释 silicon on insulator；SOI 绝缘体上硅薄膜 以硅薄膜层为主要工作材料的半导体器件。 理学 计算机硬件电路 释 silicon on insulator; SOI 绝缘体上硅薄膜 使用“硅-绝缘体-硅”三层结构材料代替传统硅材料衬底的半导体制造工艺。具有高速度、低功耗、抗辐照等优点。
凝聚态物理学 特殊物相与极端条件 silicon on insulator, SOI 绝缘体上硅[薄膜]
计算机硬件 计算机集成电路 释文 silicon on insulator, SOI 绝缘体上硅薄膜
