“narrow gap semiconductor”的概念、定义、翻译、参考文献-科学参考

单词	narrow gap semiconductor
释义	narrow gap semiconductor Encyclopedia 工学半导体材料释 narrow gap semiconductor 窄禁带半导体一般指禁带宽度小于0.5电子伏的半导体材料。也有人把室温能量的l0倍，即0.26电子伏作为窄禁带宽度的界限。
随便看	J. G. Galle (1812—1910) JGH J. Glimm J. Glimm (1934—) Jgnatius Sickeltart JGOFS J. Gregory J. Gregory (1638—1675) J-group J. G. Thompson J. G. Thompson (1932—) J. G. van der Corput J. G. van der Corput (1890—1975) JH J. Hadamard J. Hadamard (1865—1963) jharia coalfield of India Jharkhand Pradesh Jharwal J. H. Conway J. H. Conway (1937—) J. H. D. Jensen Jhelum River J. Henry J. Henry, 1797—1878

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